Bước tới nội dung

Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Bộ nhớ flash”

n
không có tóm lược sửa đổi
nKhông có tóm lược sửa đổi
nKhông có tóm lược sửa đổi
'''Bộ nhớ flash''' là một loại [[bộ nhớ không khả biến]] có thể xóa và ghi lại bằng điện.
 
Về kỹ thuật thì Bộ nhớ flash là một loại [[EEPROM]] là bộ nhớ đọc/ghi bằng điện và không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện. Chúng có ô nhớ được lập bằng 2 dạng [[cổng logic]] là NAND và NOR, và cho phép đọc/ghi từng khối nhỏ hoặc theo từ của máy (machine word).<ref>Chris Preimesberger, 2012. [http://www.eweek.com/c/a/Data-Storage/NAND-Flash-Memory-25-Years-of-Invention-Development-684048 Data Storage: NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development]. eweek.com. Retrieved 01 Apr 2015.</ref> Nó khác với [[EPROM]] phải xóa toàn bộ hoặc khối lớn trước khi ghi mới.
 
Các chip nhớ flash nhỏ được sử dụng trong bộ nhớ dữ liệu cấu hình tĩnh của máy tính, trong máy dân dụng như tivi, quạt,... Các chip lớn thì dùng trong [[máy nghe nhạc kĩ thuật số]], [[máy ảnh số|máy ảnh kĩ thuật số]], [[điện thoại di động]]. Nó cũng được sử dụng trên các máy trò chơi, thay thế cho EEPROM hoặc [[RAM tĩnh]] nuôi bằng pin để lưu dữ liệu của trò chơi.
 
== Lịch sử ==
''Bộ nhớ flash'' được Toshiba đưa ra năm 1984 làm EEPROM, cho phép đọc ghi từng byte khác với các EPROM tiền nhiệm.<ref>Masuoka F., Momodomi M., Iwata Y., Shirota R. (1987). [http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?reload=true&arnumber=1487443 New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell.] Electron Devices Meeting, 1987 International. IEEE. Retrieved 01 Apr 2015.</ref>
 
== So sánh với các bộ nhớ khác ==