Khác biệt giữa bản sửa đổi của “William Shockley”

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n robot Thêm: eo:William Shockley
SieBot (thảo luận | đóng góp)
Dòng 89: Dòng 89:
[[it:William Bradford Shockley]]
[[it:William Bradford Shockley]]
[[sw:William Shockley]]
[[sw:William Shockley]]
[[ht:William Bradford Shockley]]
[[ku:William Shockley]]
[[ku:William Shockley]]
[[ml:വില്യം ഷോക്ലി]]
[[ml:വില്യം ഷോക്ലി]]

Phiên bản lúc 00:00, ngày 26 tháng 8 năm 2008

Bản mẫu:Người đoạt giải Nobel

William Shockley
Tập tin:William Bradford Shockley.jpg
William Bradford Shockley (1910-1989)
Sinh13 tháng 2 năm 1910
London, Anh
Mất12 tháng 8 năm 1989(1989-08-12) (79 tuổi)
Stanford, California
Trường lớpCaltech
MIT
Nổi tiếng vìĐồng phát minh ra transistor
Giải thưởng Giải Nobel Vật lý (1956)
Sự nghiệp khoa học
Nơi công tácBell Labs
Shockley Semiconductor
Stanford
Người hướng dẫn luận án tiến sĩJohn C. Slater

William Bradford Shockley (13 tháng 2, năm 191012 tháng 8, năm 1989) là một nhà vật lýnhà phát minh người Mỹ sinh tại Anh.

Cùng với John BardeenWalter Houser Brattain, Shockley là người đồng phát minh ra transistor. Nhờ phát minh này họ nhận được giải Nobel Vật lý vào năm 1956. Những nỗ lực của Shockley trong việc thương mại hóa một loại transistor mới từ năm 1950 đến những năm 1960 đã dẫn đến "Silicon Valley" trở thành một nơi cách tân các thiết bị điện tử, những thiết bị này đóng vai trò lớn trong việc phát triển nhanh chóng của khoa học kỹ thuật trong nửa cuối thế kỷ này. Shockley là giáo sư tai trường Đại học Stanford, ông là người ủng hộ thuyết ưu sinh. [1]

Thời trẻ

Shockley sinh tại London, cha mẹ ông là người Mỹ, ông lớn lên ở California. Ông nhận bằng kỹ sư từ Đại học Kỹ thuật California năm 1932. Khi còn là một sinh viên, vào tháng 8 năm 1933, Shockley đã cưới vợ là Iowan Jean Bailey. Tháng 3 năm 1934 ông và Jean đã có con gái, Alison. Shockley nhân bằng Tiến sĩ từ Học viện Công nghệ Massachusetts (MIT) vào năm 1936. Đề tài luận án tiến sĩ của ông là Các tính toán về Hàm số sóng điện từ trong tinh thể Natri clorua. Sau khi nhận bằng tiến sĩ, ông gia nhập nhóm nghiên cứu được lãnh đạo bởi tiến sĩ C.J. Davisson tại Bell LabsNew Jersey.

Khi Đệ nhị Thế chiến nổ ra, Shockley bị cuốn vào việc nghiên cứu về radar tại một phòng thí nghiệm ở Whippany, New Jersey. Tháng 5 năm 1942 ông dời Bell Labs và trở thành giám đốc nghiên cứu của nhóm Nghiên cứu hoạt động chống tầu ngầm của Đại học Columbia. Các nghiên cứu này bao gồm cả việc phát minh ra những phương pháp chống lại các chiến thuật của tầu ngầm do việc phát triển kỹ thuật hộ vệ, quan sát, theo dõi những loại bom phá tầu...Dự án này đòi hỏi phải thường xuyên đi lại giữa Pentagon và Washington, nơi Shockley gặp các sĩ quan cấp cao và các quan chức chính phủ. Năm 1944, ông đã tổ chức một chương trình nddaof tạo cho các phi công lái máy bay ném bom B-29 để sử dụng loại radar mới phát hiện bom. Nhờ dự án này, Bộ trưởng Chiến tranh Robert Patterson đã trao tặng Shockley Huân chương Merit vào năm 1946.

Transistor bán dẫn

Chất bán dẫn của Shockley

Các bằng sáng chế

Shockley được công nhận là chủ nhân của trên 90 bằng sáng chế ở Hoa Kỳ. Môt số đáng chú ý là:

Các sách của Shockley

  • Shockley, William Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
  • Shockley, William Mechanics Merrill (1966).
  • Shockley, William and Pearson, Roger Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.

Sách về Shockley

  • Joel N. Shurkin; Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. New York: Palgrave Macmillan. 2006. ISBN 1-4039-8815-3
  • Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton. 1997. ISBN 0-393-31851-6 pbk.

Liên kết ngoài


  1. ^ Lỗi chú thích: Thẻ <ref> sai; không có nội dung trong thẻ ref có tên obit