RAM động

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Bước tới: menu, tìm kiếm

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM hay RAM động) là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên lưu mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng biệt trên một mạch tích hợp. Vì các tụ điện bị rò điện tích nên thông tin sẽ bị mất dần trừ khi dữ liệu được nạp lại đều đặn. Đây là điểm khác biệt so với RAM tĩnh. Ưu điểm của DRAM là có cấu trúc đơn giản: chỉ cần một transistor và một tụ điện cho mỗi bit trong khi cần sáu transistor đối với SRAM. Điều này cho phép DRAM lưu trữ với mật độ cao. Vì DRAM mất dữ liệu khi không có điện nên nó thuộc loại thiết bị nhớ tạm thời.

Lịch sử[sửa | sửa mã nguồn]

DRAM được phát minh bởi tiến sĩ Robert Dennard tại Trung tâm nghiên cứu Thomas J. Watson IBM vào năm 1966 và được cấp bằng sáng chế năm 1968. Tụ điện đã được dùng trong những sơ đồ bộ nhớ đời đầu như: drum của Atanasoff-Berry Computer, ống Williamsống Selectron.

Vào năm 1969, Honeywell yêu cầu Intel chế tạo cho họ bộ nhớ DRAM sử dụng một cell 3 transistor mà họ vừa phát triển. Nó đã trở thành Intel 1102 (1024x1) vào đầu những năm 1970. Tuy nhiên 1102 gặp nhiều lỗi, điều đó khiến Intel bắt đầu làm việc trên những mẫu thiết kế có cải tiến của riêng họ (việc này được tiến hành bí mật nhằm tránh động chạm tới Honeywell). Chính điều này đã dẫn tới sự ra đời của DRAM thương mại đầu tiên có cell 1 transistor - Intel 1103 (1024x1) vào tháng Mười năm 1970 (mặc dù có chút vấn đề vì số lượng tiêu thụ thâp, mãi đến bản sửa đổi thứ 5).

Bộ nhớ DRAM đầu tiên có nhiều địa chỉ hàng/cột là Mostek MK4096 (4096x1) năm 1973.

So sánh với các loại bộ nhớ khác[sửa | sửa mã nguồn]

Loại Mất dữ liệu
khi mất điện?
Khả năng ghi ? Cỡ xoá ? Xoá
nhiều lần ?
Tốc độ ? Giá thành
(theo byte)
SRAM
Byte
Không giới hạn
Nhanh
Đắt
DRAM
Byte
Không giới hạn
Vừa phải
Vừa phải
Masked ROM
Không
Không
Không sẵn sàng
Không sẵn sàng
Nhanh
Không đắt
PROM
Không
Một lần, yêu cầu
thiết bị chuyên dụng
Không sẵn sàng
Không sẵn sàng
Nhanh
Vừa phải
EPROM
Không
Có, nhưng cần
thiết bị chuyên dụng
Toàn bộ
Giới hạn
Nhanh
Vừa phải
EEPROM
Không
Byte
Giới hạn
Nhanh cho đọc,
chậm cho xoá và ghi
Đắt
Flash
Không
Sector
Giới hạn
Nhanh cho đọc,
chậm cho xoá/ghi
Vừa phải
NVRAM
Không
Byte
Không giới hạn
Nhanh
Đắt

Xem thêm[sửa | sửa mã nguồn]