RAM tĩnh

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Bước tới: menu, tìm kiếm

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh (SRAM hay RAM tĩnh) là một loại bộ nhớ sử dụng công nghệ bán dẫn. Từ "tĩnh" nghĩa là bộ nhớ vẫn lưu dữ liệu nếu có điện, không như RAM động cần được nạp lại thường xuyên. Không nên nhầm RAM tĩnh với bộ nhớ chỉ đọcbộ nhớ flash vì RAM tĩnh chỉ lưu được dữ liệu khi có điện.

Thiết kế[sửa | sửa mã nguồn]

Một ô CMOS SRAM với sáu transitor.

Truy cập ngẫu nhiên nghĩa là bất kì một ô nhớ nào cũng đều có thể được đọc và ghi theo bất kì thứ tự nào.

Mỗi bit trong 1 thanh SRAM được chứa trong 4 transistor tạo thành 2 cặp chéo nhau. Ô chứa này có 2 trạng thái 01. Ngoài ra còn 2 transistor được sử dụng điều khiển quyền truy cập tới 1 ô nhớ trong quá trình đọc và ghi. Tổng cộng, cần 6 transistor để chứa 1 bit bộ nhớ.

Truy cập tới cell được kích hoạt bởi word line (WL ở trong hình) vốn điều khiển 2 transistor truy cập M5 và M6, và khi tới lượt, điều khiển cho tới mỗi cell sẽ được kết nối tới các đường bit: BL và BL. Đường bit được sử dụng để truyền dữ liệu cho cả hai tác vụ đọc và ghi. Mặc dù việc có cả 2 đường bit là không bắt buộc, những hầu hết đều cung cấp cả hai để cải thiện biên nhiễu tín hiệu.

Kích thước của một bộ nhớ SRAM với m đường địa chỉ và n đường dữ liệu là 2m từ, tức 2m × n bit.

So sánh các loại bộ nhớ[sửa | sửa mã nguồn]

Loại Mất dữ liệu
khi mất điện?
Khả năng ghi ? Cỡ xoá ? Xoá
nhiều lần ?
Tốc độ ? Giá thành
(theo byte)
SRAM
Byte
Không giới hạn
Nhanh
Đắt
DRAM
Byte
Không giới hạn
Vừa phải
Vừa phải
Masked ROM
Không
Không
Không sẵn sàng
Không sẵn sàng
Nhanh
Không đắt
PROM
Không
Một lần, yêu cầu
thiết bị chuyên dụng
Không sẵn sàng
Không sẵn sàng
Nhanh
Vừa phải
EPROM
Không
Có, nhưng cần
thiết bị chuyên dụng
Toàn bộ
Giới hạn
Nhanh
Vừa phải
EEPROM
Không
Byte
Giới hạn
Nhanh cho đọc,
chậm cho xoá và ghi
Đắt
Flash
Không
Sector
Giới hạn
Nhanh cho đọc,
chậm cho xoá/ghi
Vừa phải
NVRAM
Không
Byte
Không giới hạn
Nhanh
Đắt

Xem thêm[sửa | sửa mã nguồn]