Bản mẫu:Quy trình sản xuất chất bán dẫn

Quan trọng: đọc tài liệu trước khi sửa đổi bản mẫu này.

Chế tạo linh kiện bán dẫn
tỷ lệ MOSFET (process nodes)
020 µm – 1968 010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
Tương lai 002 nm ~ 2024
Half-nodes Mật độ bóng bán dẫn CMOS Linh kiện (đa cổng) Định luật Moore Transistor count Chất bán dẫn Công nghiệp Nanoelectronics

Tài liệu bản mẫu[tạo]

Biên tập viên sửa đổi có thể thử nghiệm trong các trang chỗ thử (tạo | sao) và trường hợp kiểm thử (tạo) của bản mẫu này.
Xin hãy bổ sung các thể loại vào trang con /doc. Các trang con của bản mẫu này.