Bộ nhớ flash

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Bước tới: menu, tìm kiếm
Một ổ USB flash. Chip bên trái là bộ nhớ flash. Bên phải là bộ vi điều khiển.

Bộ nhớ flash là một loại bộ nhớ không khả biến có thể xóa và ghi lại bằng điện.

Về kỹ thuật thì Bộ nhớ flash là một loại EEPROM là bộ nhớ đọc/ghi bằng điện và không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện. Chúng có ô nhớ được lập bằng 2 dạng cổng logic là NAND và NOR, và cho phép đọc/ghi từng khối nhỏ hoặc theo từ của máy (machine word).[1] Nó khác với EPROM phải xóa toàn bộ hoặc khối lớn trước khi ghi mới.

Các chip nhớ flash nhỏ được sử dụng trong bộ nhớ dữ liệu cấu hình tĩnh của máy tính, trong máy dân dụng như tivi, quạt,... Các chip lớn thì dùng trong máy nghe nhạc kĩ thuật số, máy ảnh kĩ thuật số, điện thoại di động. Nó cũng được sử dụng trên các máy trò chơi, thay thế cho EEPROM, hoặc cho RAM tĩnh nuôi bằng pin để lưu dữ liệu của trò chơi.

Phổ thông nhất chính là thẻ nhớổ USB flash để lưu trữ và truyền dữ liệu giữa các máy tính và các thiết bị kỹ thuật số khác.

Lịch sử[sửa | sửa mã nguồn]

Bộ nhớ flash được Toshiba đưa ra năm 1984 làm EEPROM, cho phép đọc ghi từng byte khác với các EPROM tiền nhiệm.[2]

So sánh với các bộ nhớ khác[sửa | sửa mã nguồn]

Loại Mất dữ liệu<br\>khi mất điện? Khả năng ghi ? Cỡ xoá ? Xoá<br\>nhiều lần ? Tốc độ ? Giá thành <br\>(theo byte)
SRAM
Byte
Không giới hạn
Nhanh
Đắt
DRAM
Byte
Không giới hạn
Vừa phải
Vừa phải
Masked ROM
Không
Không
Không sẵn sàng
Không sẵn sàng
Nhanh
Không đắt
PROM
Không
Một lần, yêu cầu <br\>thiết bị chuyên dụng
Không sẵn sàng
Không sẵn sàng
Nhanh
Vừa phải
EPROM
Không
Có, nhưng cần <br\> thiết bị chuyên dụng
Toàn bộ
Giới hạn
Nhanh
Vừa phải
EEPROM
Không
Byte
Giới hạn
Nhanh cho đọc, <br\> chậm cho xoá và ghi
Đắt
Flash
Không
Sector
Giới hạn
Nhanh cho đọc, <br\> chậm cho xoá/ghi
Vừa phải
NVRAM
Không
Byte
Không giới hạn
Nhanh
Đắt


Xem thêm[sửa | sửa mã nguồn]

Tham khảo[sửa | sửa mã nguồn]

  1. ^ Chris Preimesberger, 2012. Data Storage: NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development. eweek.com. Retrieved 01 Apr 2015.
  2. ^ Masuoka F., Momodomi M., Iwata Y., Shirota R. (1987). New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell. Electron Devices Meeting, 1987 International. IEEE. Retrieved 01 Apr 2015.

Liên kết ngoài[sửa | sửa mã nguồn]