Bộ nhớ flash

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Bước tới: menu, tìm kiếm
Một ổ USB flash. Chip bên trái là bộ nhớ flash. Bên phải là bộ vi điều khiển.

Bộ nhớ flash là một loại bộ nhớ máy tính kiểu bộ nhớ điện tĩnh (non-volative memory), có thể bị xóa khi mất nguồn điện cấp vào và lập trình lại (reprogrammed)[1].

Về mặt kỹ thuật thì bộ nhớ flash có thể được dùng như một loại EEPROM mà ở đó nó có thể được đọc/ghi bằng điện và không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện. Có 2 kiểu bộ nhớ flash chính đã được tạo ra là NAND và NOR được cấu thành từ các cổng logic. Bộ nhớ flash được cấu thành từ các phần tử (cell) nhớ riêng rẽ với các đặc tính bên trong giống như những cổng logic tương ứng đã tạo ra nó; do đó, ta có thể thực hiện thao tác đọc/ ghi, lưu trữ dữ liệu theo từng phần tử (cell) nhớ một.

Khác với các bộ nhớ EPROMs phải được xóa trước khi được ghi lại, thì bộ nhớ flash kiểu cổng NAND có thể được ghi và đọc theo từng khối (block) hoặc trang (page) nhớ, còn bộ nhớ flash kiểu cổng NOR thì có thể được đọc hoặc ghi một cách độc lập theo từng từ (word) hoặc byte nhớ của máy [2].

Các chip nhớ flash nhỏ được sử dụng trong bộ nhớ dữ liệu cấu hình tĩnh của máy tính, trong máy dân dụng như tivi, quạt,... Các chip lớn thì dùng trong máy nghe nhạc kĩ thuật số, máy ảnh kĩ thuật số, điện thoại di động. Nó cũng được sử dụng trên các máy trò chơi, thay thế cho EEPROM, hoặc cho RAM tĩnh nuôi bằng pin để lưu dữ liệu của trò chơi.

Phổ thông nhất chính là thẻ nhớổ USB flash để lưu trữ và truyền dữ liệu giữa các máy tính và các thiết bị kỹ thuật số khác.

Lịch sử[sửa | sửa mã nguồn]

Bộ nhớ flash được Toshiba đưa ra năm 1984 làm EEPROM, cho phép đọc ghi từng byte khác với các EPROM tiền nhiệm [3].

So sánh với các bộ nhớ khác[sửa | sửa mã nguồn]

Loại Mất dữ liệu
khi mất điện
Khả năng ghi Cỡ xoá Xoá
nhiều lần
Tốc độ Giá thành
(theo byte)
SRAM
Byte
Không giới hạn
Nhanh
Đắt
DRAM
Byte
Không giới hạn
Vừa phải
Vừa phải
Masked ROM
Không
Không
Không sẵn sàng
Không sẵn sàng
Nhanh
Không đắt
PROM
Không
Một lần, yêu cầu
thiết bị chuyên dụng
Không sẵn sàng
Không sẵn sàng
Nhanh
Vừa phải
EPROM
Không
Có, nhưng cần
thiết bị chuyên dụng
Toàn bộ
Giới hạn
Nhanh
Vừa phải
EEPROM
Không
Byte
Giới hạn
Nhanh cho đọc,
chậm cho xoá và ghi
Đắt
Flash
Không
Sector
Giới hạn
Nhanh cho đọc,
chậm cho xoá/ghi
Vừa phải
NVRAM
Không
Byte
Không giới hạn
Nhanh
Đắt


Xem thêm[sửa | sửa mã nguồn]

Tham khảo[sửa | sửa mã nguồn]

  1. ^ “Flash memory, English WIkipedia”. 
  2. ^ Chris Preimesberger, 2012. Data Storage: NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development. eweek.com. Truy cập 01 Apr 2015.
  3. ^ Masuoka F., Momodomi M., Iwata Y., Shirota R. (1987). New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell. Electron Devices Meeting, 1987 International. IEEE. Truy cập 01 Apr 2015.

Liên kết ngoài[sửa | sửa mã nguồn]