Molypden disilixua

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Buớc tưới chuyển hướng Bước tới tìm kiếm
Molypden disilixua
MoSi2structure.png
Danh pháp IUPACMolybdenum disilicide
Nhận dạng
Số CAS12136-78-6
PubChem6336985
Thuộc tính
Công thức phân tửMoSi2
Khối lượng mol152.11 g/mol
Bề ngoàiChất rắn xám dạng kim loại
Khối lượng riêng6.26 g/cm3[1][2]
Điểm nóng chảy 2.030 °C (2.300 K; 3.690 °F)[2]
Điểm sôi
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa).
KhôngN kiểm chứng (cái gì Có KhôngN ?)

Molypden disilixua là một hợp chất vô cơ có thành phần gồm hai nguyên tố là molypdensilic, với công thức hóa học là MoSi2. Hợp chất này còn là là một loại vật liệu gốm chịu lửa với mục đích sử dụng chính trong các bộ phận làm nóng. Nó có mật độ vừa phải, nhiệt độ nóng chảy 2030 °C, và có tính dẫn điện. Ở nhiệt độ cao, nó tạo thành tầng thụ động có thành phần là silic dioxit, bảo vệ khỏi quá trình oxy hóa. Hợp chất này là một vật liệu hợp chất kim loại màu xám với cấu trúc tinh thể tetragonal (dạng alpha) và dạng sáu cạnh và không ổn định dưới dạng beta.[3] Nó không hòa tan trong hầu hết các axit nhưng hòa tan trong axit nitricaxit flohidric.

Các thành phần làm lạnh của molypden disilixua có thể được sử dụng khi nhiệt độ lên đến 1800 °C, trong lò nung điện sử dụng trong phòng thí nghiệm và môi trường sản xuất trong các quy trình sản xuất thủy tinh, thép, điện tử, gốm sứ, và trong xử lý nhiệt các vật liệu. Ngoài ra, molypden disilixua còn được sử dụng trong vi điện tử như một vật liệu tiếp xúc. Nó thường được sử dụng để tăng độ dẫn và tăng tốc độ tín hiệu.

Tham khảo[sửa | sửa mã nguồn]

  1. ^ A. Nørlund Christensen (1993). “Crystal growth and characterization of the transition metal silicides MoSi2 and WSi2”. Journal of Crystal Growth 129 (1–2): 266–268. doi:10.1016/0022-0248(93)90456-7. 
  2. ^ a ă Soo-Jin Park; Min-Kang Seo (ngày 18 tháng 7 năm 2011). Interface Science and Composites. Academic Press. tr. 563–. ISBN 978-0-12-375049-5. Truy cập ngày 30 tháng 12 năm 2011. 
  3. ^ F. M. d’Heurle, C. S. Petersson, and M. Y. Tsai (1980). “Observations on the hexagonal form of MoSi2 and WSi2 films produced by ion implantation and on related snowplow effects”. J. Appl. Phys. 51 (11): 5976. doi:10.1063/1.327517.