Điốt tunnel

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Bước tới: menu, tìm kiếm
Điốt tunnel
GE 1N3716 tunnel diode.jpg
Điốt tunnel 1N3716 (và một cầu nối (Jumper) 0.1" trong PC để so sánh)
Loại Thụ động
Nguyên lý hoạt động Hiệu ứng cơ học lượng tử gọi là đường hầm.
Phát minh Leo Esaki
Sản xuất lần đầu tiên Sony
Chân anodecathode
Ký hiệu điện
Tunnel diode symbol.svg

Điốt tunnel (tunnel diode) còn gọi là điốt Esaki diode, là một loại điốt bán dẫn có khả năng hoạt động rất nhanh ở vùng tần số vi sóng, được thực hiện bằng việc sử dụng các hiệu ứng cơ học lượng tử gọi là đường hầm.

Điốt tunnel được phát minh tháng 8 năm 1957 bởi Leo Esaki khi ông làm việc ở Tokyo Tsushin Kogyo, bây giờ là Sony. Năm 1973 ông cùng với Brian Josephson nhận giải Nobel Vật lý cho khám phá các hiệu ứng điện tử đường hầm được sử dụng trong các điốt.

Điốt tunnel có một tiếp giáp p-n pha tạp mạnh và chỉ rộng khoảng 10 nm (100 Å). Kết quả pha tạp mạnh trong một khe vỡ, nơi trạng thái vùng dẫn điện điện tử trên lớp n phù hợp ít hay nhiều với trạng thái lỗ trống dải hóa trị trên lớp p.

Điốt tunnel đầu tiên được Sony sản xuất năm 1957, sau đó từ khoảng năm 1960 General Electric và các công ty khác tham gia. Điốt tunnel thường được làm từ germani, nhưng cũng có thể được làm từ arsenua galli hay silic. Chúng được sử dụng trong bộ chuyển đổi tần số và thiết bị dò. Do đặc tuyến IV có đoạn điện trở âm, nó được dùng cho tạo dao động, khuếch đại và chuyển mạch sử dụng trễ.[1]

Nguyên lý hoạt động[sửa | sửa mã nguồn]

Đặc tuyến IV của điốt tunnel, có đoạn điện trở âm ở vùng tô xám giữa v1v2.

Các đặc trưng hoạt động[sửa | sửa mã nguồn]

Ứng dụng[sửa | sửa mã nguồn]

Tham khảo[sửa | sửa mã nguồn]

  1. ^ Esaki Leo et al., 2010. Esaki diode is still a radio star, half a century on. Nature 464 (7285): 31. doi:10.1038/464031b. PMID 20203587.

Xem thêm[sửa | sửa mã nguồn]

Liên kết ngoài[sửa | sửa mã nguồn]