Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Bộ nhớ flash”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào

Nội tuyến

Phiên bản lúc 03:30, ngày 13 tháng 8 năm 2015

Bộ nhớ flash là một loại bộ nhớ không khả biến có thể xóa và ghi lại bằng điện.

Về kỹ thuật thì Bộ nhớ flash là một loại EEPROM là bộ nhớ đọc/ghi bằng điện và không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện. Chúng có ô nhớ được lập bằng 2 dạng cổng logic là NAND và NOR, và cho phép đọc/ghi từng khối nhỏ hoặc theo từ của máy (machine word).^[1] Nó khác với EPROM phải xóa toàn bộ hoặc khối lớn trước khi ghi mới.

Các chip nhớ flash nhỏ được sử dụng trong bộ nhớ dữ liệu cấu hình tĩnh của máy tính, trong máy dân dụng như tivi, quạt,... Các chip lớn thì dùng trong máy nghe nhạc kĩ thuật số, máy ảnh kĩ thuật số, điện thoại di động. Nó cũng được sử dụng trên các máy trò chơi, thay thế cho EEPROM, hoặc cho RAM tĩnh nuôi bằng pin để lưu dữ liệu của trò chơi.

Phổ thông nhất chính là thẻ nhớ và ổ USB flash để lưu trữ và truyền dữ liệu giữa các máy tính và các thiết bị kỹ thuật số khác.

Lịch sử

Bộ nhớ flash được Toshiba đưa ra năm 1984 làm EEPROM, cho phép đọc ghi từng byte khác với các EPROM tiền nhiệm.^[2]

So sánh với các bộ nhớ khác

Loại	Mất dữ liệu khi mất điện	Khả năng ghi	Cỡ xoá	Xoá nhiều lần	Tốc độ	Giá thành (theo byte)
SRAM	Có	Có	Byte	Không giới hạn	Nhanh	Đắt
DRAM	Có	Có	Byte	Không giới hạn	Vừa phải	Vừa phải
Masked ROM	Không	Không	Không sẵn sàng	Không sẵn sàng	Nhanh	Không đắt
PROM	Không	Một lần, yêu cầu thiết bị chuyên dụng	Không sẵn sàng	Không sẵn sàng	Nhanh	Vừa phải
EPROM	Không	Có, nhưng cần thiết bị chuyên dụng	Toàn bộ	Giới hạn	Nhanh	Vừa phải
EEPROM	Không	Có	Byte	Giới hạn	Nhanh cho đọc, chậm cho xoá và ghi	Đắt
Flash	Không	Có	Sector	Giới hạn	Nhanh cho đọc, chậm cho xoá/ghi	Vừa phải
NVRAM	Không	Có	Byte	Không giới hạn	Nhanh	Đắt

Xem thêm

Tham khảo

^ Chris Preimesberger, 2012. Data Storage: NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development. eweek.com. Retrieved 01 Apr 2015.
^ Masuoka F., Momodomi M., Iwata Y., Shirota R. (1987). New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell. Electron Devices Meeting, 1987 International. IEEE. Retrieved 01 Apr 2015.

Liên kết ngoài

Bài viết liên quan đến điện toán này vẫn còn sơ khai. Bạn có thể giúp Wikipedia mở rộng nội dung để bài được hoàn chỉnh hơn.

[1] Chris Preimesberger, 2012. Data Storage: NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development. eweek.com. Retrieved 01 Apr 2015.

[2] Masuoka F., Momodomi M., Iwata Y., Shirota R. (1987). New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell. Electron Devices Meeting, 1987 International. IEEE. Retrieved 01 Apr 2015.

[1]

[2]

@@ Dòng 1: / Dòng 1: @@
 [[Tập tin:USB flash drive.JPG|nhỏ|phải|300px|Một [[ổ USB flash]]. Chip bên trái là bộ nhớ flash. Bên phải là [[bộ vi điều khiển]].]]
 '''Bộ nhớ flash''' là một loại [[bộ nhớ không khả biến]] có thể xóa và ghi lại bằng điện.
 Về kỹ thuật thì Bộ nhớ flash là một loại [[EEPROM]] là bộ nhớ đọc/ghi bằng điện và không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện. Chúng có ô nhớ được lập bằng 2 dạng [[cổng logic]] là NAND và NOR, và cho phép đọc/ghi từng khối nhỏ hoặc theo từ của máy (machine word).<ref>Chris Preimesberger, 2012. [http://www.eweek.com/c/a/Data-Storage/NAND-Flash-Memory-25-Years-of-Invention-Development-684048 Data Storage: NAND Flash Memory: 25 Years of Invention, Development]. eweek.com.  Retrieved 01 Apr 2015.</ref> Nó khác với [[EPROM]] phải xóa toàn bộ hoặc khối lớn trước khi ghi mới.
 Các chip nhớ flash nhỏ được sử dụng trong bộ nhớ dữ liệu cấu hình tĩnh của máy tính, trong máy dân dụng như tivi, quạt,... Các chip lớn thì dùng trong [[máy nghe nhạc kĩ thuật số]], [[máy ảnh số|máy ảnh kĩ thuật số]], [[điện thoại di động]]. Nó cũng được sử dụng trên các máy trò chơi, thay thế cho [[EEPROM]], hoặc cho [[RAM tĩnh]] nuôi bằng pin để lưu dữ liệu của trò chơi.
 Phổ thông nhất chính là [[thẻ nhớ]] và [[ổ USB flash]] để lưu trữ và truyền dữ liệu giữa các máy tính và các thiết bị kỹ thuật số khác.
 == Lịch sử ==
 ''Bộ nhớ flash'' được Toshiba đưa ra năm 1984 làm [[EEPROM]], cho phép đọc ghi từng byte khác với các [[EPROM]] tiền nhiệm.<ref>Masuoka F., Momodomi M., Iwata Y., Shirota R. (1987). [http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?reload=true&arnumber=1487443 New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell.] Electron Devices Meeting, 1987 International. IEEE.  Retrieved 01 Apr 2015.</ref>
 == So sánh với các bộ nhớ khác ==
@@ Dòng 24: / Dòng 24: @@
 ==Tham khảo==
 {{tham khảo}}
 == Liên kết ngoài ==
-{{Commonscat|Flash memory}}
+{{thể loại Commons|Flash memory}}
 {{sơ khai máy tính}}
 [[Thể loại:Bộ nhớ máy tính]]
 [[Thể loại:Tin học]]
 [[Thể loại:Mạch tích hợp]]
 [[Thể loại:Linh kiện bán dẫn]]