William Shockley

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Bước tới: menu, tìm kiếm
William Shockley
William Bradford Shockley (1910-1989)
Sinh 13 tháng 2 năm 1910
London, Anh
Mất 12 tháng 8, 1989 (79 tuổi)
Stanford, California
Alma mater Caltech
MIT
Người hướng dẫn luận án tiến sĩ John C. Slater
Nổi tiếng vì Đồng phát minh ra transistor
Giải thưởng Nobel prize medal.svg Giải Nobel Vật lý (1956)
Giải Vật lý Comstock (1953)

William Bradford Shockley (13 tháng 2, năm 191012 tháng 8, năm 1989) là một nhà vật lýnhà phát minh người Mỹ sinh tại Anh.

Cùng với John BardeenWalter Houser Brattain, Shockley là người đồng phát minh ra transistor. Nhờ phát minh này họ nhận được giải Nobel Vật lý vào năm 1956. Những nỗ lực của Shockley trong việc thương mại hóa một loại transistor mới từ năm 1950 đến những năm 1960 đã dẫn đến "Silicon Valley" trở thành một nơi cách tân các thiết bị điện tử, những thiết bị này đóng vai trò lớn trong việc phát triển nhanh chóng của khoa học kỹ thuật trong nửa cuối thế kỷ này. Shockley là giáo sư tai trường Đại học Stanford, ông là người ủng hộ thuyết ưu sinh.[1]

Thời trẻ[sửa | sửa mã nguồn]

Shockley sinh tại London, cha mẹ ông là người Mỹ, ông lớn lên ở California. Ông nhận bằng kỹ sư từ Đại học Kỹ thuật California năm 1932. Khi còn là một sinh viên, vào tháng 8 năm 1933, Shockley đã cưới vợ là Iowan Jean Bailey. Tháng 3 năm 1934 ông và Jean đã có con gái, Alison. Shockley nhân bằng Tiến sĩ từ Học viện Công nghệ Massachusetts (MIT) vào năm 1936. Đề tài luận án tiến sĩ của ông là Các tính toán về Hàm số sóng điện từ trong tinh thể Natri clorua. Sau khi nhận bằng tiến sĩ, ông gia nhập nhóm nghiên cứu được lãnh đạo bởi tiến sĩ C.J. Davisson tại Bell LabsNew Jersey.

Khi Đệ nhị Thế chiến nổ ra, Shockley bị cuốn vào việc nghiên cứu về radar tại một phòng thí nghiệm ở Whippany, New Jersey. Tháng 5 năm 1942 ông dời Bell Labs và trở thành giám đốc nghiên cứu của nhóm Nghiên cứu hoạt động chống tàu ngầm của Đại học Columbia. Các nghiên cứu này bao gồm cả việc phát minh ra những phương pháp chống lại các chiến thuật của tàu ngầm do việc phát triển kỹ thuật hộ vệ, quan sát, theo dõi những loại bom phá tàu...Dự án này đòi hỏi phải thường xuyên đi lại giữa Pentagon và Washington, nơi Shockley gặp các sĩ quan cấp cao và các quan chức chính phủ. Năm 1944, ông đã tổ chức một chương trình nddaof tạo cho các phi công lái máy bay ném bom B-29 để sử dụng loại radar mới phát hiện bom. Nhờ dự án này, Bộ trưởng Chiến tranh Robert Patterson đã trao tặng Shockley Huân chương Merit vào năm 1946.

Transistor bán dẫn[sửa | sửa mã nguồn]

Chất bán dẫn của Shockley[sửa | sửa mã nguồn]

Các bằng sáng chế[sửa | sửa mã nguồn]

Shockley được công nhận là chủ nhân của trên 90 bằng sáng chế ở Hoa Kỳ. Môt số đáng chú ý là:

Các sách của Shockley[sửa | sửa mã nguồn]

  • Shockley, William Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
  • Shockley, William Mechanics Merrill (1966).
  • Shockley, William and Pearson, Roger Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.

Sách về Shockley[sửa | sửa mã nguồn]

  • Joel N. Shurkin; Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. New York: Palgrave Macmillan. 2006. ISBN 1-4039-8815-3
  • Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton. 1997. ISBN 0-393-31851-6 pbk.

Chú thích[sửa | sửa mã nguồn]

  1. ^ Lỗi chú thích: Thẻ <ref> sai; không có nội dung trong thẻ ref có tên obit

Liên kết ngoài[sửa | sửa mã nguồn]